Транзистор IRF640N (TO220)

N-канальний MOSFET (польовий транзистор)

Характеристики

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярність: N
• Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 125 W
• Гранично допустима напруга сток-витік |Uds|: 200 V
• Гранично допустима напруга затвор-витік | Ugs |: 20 V
• Порогова напруга включення | Ugs (th) |: 4 V
• Максимально допустимий постійний струм стоку | Id |: 18 A
• Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
• Загальний заряд затвора (Qg): 36 nC
• Час наростання (tr): 60 (max) ns
• Вихідна ємність (Cd): 750(max) pf
• Опір сток-витік відкритого транзистора (Rds): 0.18 Ohm
• Тип корпусу: ТО220

Змінюючи полярність і рівень напруги до затвора, можна керувати звуженням або розширенням каналу, внутрішнім опором, найголовніше - струмом через транзистор.

Оскільки транзистор називається "польовим", управління виробляється електричним полем, а не струмом бази, як у біполярному транзисторі. Це дозволяє витрачати додаткову енергію.

Транзистор IRF640N допускає підключення трьома способами: із загальним затвором, із загальним стоком, із загальним витоком.

Вхід польового транзистора має значний опір, що дозволяє підключати високоомне джерело електричних коливань.