N-канальный MOSFET (полевой транзистор)
Характеристики
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
- Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
- Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
- Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
- Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
- Общий заряд затвора (Qg): 67 nC
- Время нарастания (tr): 19 ns
- Выходная емкость (Cd): 185 pf
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.15 Ohm
- Тип корпуса: TO263
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | International Rectifier |
| Тип транзистора | Полевой |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Дополнительные характеристики | |
| Выходная емкость | 185 пФ |
Информация для заказа
- Цена: 42 ₴


