N-канальный MOSFET (полевой транзистор)
Характеристики
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W
- Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
- Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
- Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 64 A
- Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
- Общий заряд затвора (Qg): 81(max) nC
- Время нарастания (tr): 78 ns
- Выходная емкость (Cd): 470 pf
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm
- Тип корпуса: TO220
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | International Rectifier |
| Тип транзистора | Полевой |
| Максимальная мощность рассеивания | 130 Вт |
Информация для заказа
- Цена: 33 ₴


