Транзистор IRF820 N-канальний MOSFET (польовий транзистор)
Характеристики:
- Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 50 W
- Гранично допустима напруга сток-витік |Uds|: 500 V
- Гранично допустима напруга затвор-витік | Ugs |: 20 V
- Порогова напруга включення | Ugs (th) |: 4 V
- Максимально допустимий постійний струм стоку | Id |: 2.5 A
- Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
- Загальний заряд затвора (Qg): 24(max) nC
- Час зростання (tr): 8.6 ns
- Вихідна ємність (Cd): 92 pf
- Опір сток-витік відкритого транзистора (Rds): 3 Ohm
- Тип корпусу: ТО220
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Тип транзистора | Польовий |
| Максимальна потужність розсіювання | 50 Вт |
| Виробник | PD |
| Додаткові характеристики | |
| Максимальна робоча температура | 150 град. |
Інформація для замовлення
- Ціна: 30 ₴


