P-канальный MOSFET (полевой транзистор) с обратным диодом Vds=100V, Id=14A, T=25C, Id=10A, T=100C, Rds=0.20 R, P=79W, -55 to +175C.
Характеристики:
| Изготовитель | International Rectifier (IR) |
| Корпус | TO220 |
| Структура | P |
| Схема соединения | Одиночний |
| V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток | -100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | ±20 V |
| Id25 - постоянный ток стока при 25°C | -14 А |
| Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C | -10 А |
| Rds(on)25 - сопротивление сток-утечка при 25°C, Vgs=10V | 0.2 Ом |
| VGS(th) - предельное напряжение затвор-исток (диапазон) | -2 ... -4 V |
| Мощность рассеяния при 25°C | 79 Вт |
| Крутизна характеристики прямой передачи – Мин. | 3.2 |
| Qg - заряд затвора | 3.87e-8 |
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | International Rectifier |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Максимальная рабочая температура | 175 град. |
Информация для заказа
- Цена: 20 ₴


